一种芯片散热结构及提升芯片光电转换效率的方法

申请号

CN202310531779.9

转化方式

技术转让

申请日

2023.05.11

公开(公告)日

2025.04.25

当前专利权人

无锡学院

发明（设计）人

黄瑞;阚万誉;唐明志;李晖;王青;郭业才

摘要

　　本发明属于半导体激光芯片散热技术领域，具体涉及一种芯片散热结构及提升芯片光电转换效率的方法。本发明所述芯片散热结构通过将离子注入在外延片器件层前体注入损伤带，结合表面活化键合技术将器件层转移至高导热衬底材料上，再通过热退火和飞秒激光辐照相结合对键合界面的晶格缺陷进行修复制得。本发明制备得到的芯片散热结构具有散热效率高的优点，且制备工艺简单，适用于大规模工业化生产。